图4给出从400~500 MHz频率范围内漏缆的衰减曲线,其中实线为仿真结果,虚线为由式(8),式(9)计算得到的曲线。可以看出,450 MHz时衰减常数为21.78 dB/km,优于标准的23.1 dB/km。漏缆的导体衰减和介质衰减仿真值稍大于通过式(8),式(9)计算得到的计算值,有一部分的原因是仿真时阻抗不完全匹配引起的,可见式(8),式(9)可以用来近似计算漏缆的导体衰减和介质衰减。
图5为漏缆耦合损耗仿真结果,从图中可以看出漏缆的95%耦合损耗为82.4 dB,优于标准的87dB。
小米手机屏下摄像头专利上月获欧洲专利局和美国专利商标局的专利授权
OPPO将为旗舰机带来最大7GB内存扩展 为低内存手机带来更好的体验
荣耀选择单电芯双回路技术 提高快充速度是目前解决用户“电量焦虑”问题的方法之一