晶体管原理

导读：本文主要讲述的是晶体管的原理，感兴趣的童鞋们快来学习一下吧~~~很涨姿势的哦~~~

1.晶体管原理--简介

晶体管是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，开关速度可以非常之快。严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。

2.晶体管原理--结构

晶体管内部是由两个PN结构成的，其三个电极分别为集电极(用字母C或c表示)，基极(用字母B或b表示)和发射机(用字母E或e表示)。根据结构不同，晶体管可以分为PNP型和NPN型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头(代表集电极电流的方向)不同。PNP型晶体管的发射极箭头朝内，NPN型晶体管的发射极箭头朝外。

3.晶体管原理

依据晶体管两个PN结的偏置情况，晶体管的工作状态有放大、饱和、截止和倒置四种。以NPN型晶体管为例，NPN型晶体管的工作原理图及等效电路图如下图所示。

晶体管工作在放大状态：发射结正向偏置，集电结反向偏置。

晶体管工作在饱和状态：发射结正向偏置，集电结正向偏置。其特点为：UCE≤UBE，集电极正向偏置。IC≠βIB，IB失去了对IC的控制。

晶体管工作在截止状态：发射结反向偏置，集电结反向偏置。其特点为：发射结反偏;IC=ICBO;IB= - ICBO 。

晶体管工作在倒置状态：发射结反向偏置，集电结正向偏置。其特点为：集电区扩散到基区的多子较少;发射区收集基区的非平衡少数载流子的能力小;晶体管的电流放大系数很小。

拓展阅读：

1.全球半导体产业状况及中国半导体前前景

2.高频硅PNP晶体管3CG120高温失效机理研究

3.功率场效应管MOSFET,功率场控晶体管

标签： 晶体管 晶体管原理

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