据外媒 HPCwire 消息,三星电子 宣布成功开发了单条容量 512GB 的 DDR5 模组,使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺,可以提
据外媒 HPCwire 消息,三星电子 3 月 24 日宣布成功开发了单条容量512GB的 DDR5 模组,使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺