西部数据宣布,与铠侠联合开发的BiCS NAND闪存将进入第六代,堆叠层数达到162层,今年即投入量产。目前的3D NAND闪存已经纷纷堆到176层,
全新 DDR5 标准的内存将在 10 月底与 12 代酷睿一推出。与此同时多个厂商的 DDR5 内存也进入了出货阶段,随着高频内存的出现,未来
据外媒 SamMobile 报道,三星在今天证实,其计划在 2021 年推出第七代 V-NAND 解决方案,并将在 2021 年下半年发布其首款基于第 7